本實驗室近年來進行前瞻之奈米電子元件研究，重點於高遷移率通道材料低功耗高效能邏輯元件。高遷移率通道鐵電鰭式場效電晶體(FinFET ，N3)，鐵電環繞式閘極電晶體(GAAGET，N2)，與 互補式場效電晶體(CFET，N1)實驗和三維模擬。實驗部分則是使用使用矽鍺SiGe與 鍺Ge通道的 GAAFET與 CFET，開發出高效能與節能之奈米電子元件，與可多位元操作的鐵電記憶體，與相關3D TCAD元件模擬研究。發表約100篇的國際期刊論文，與數篇相關之台灣與美國專利。

近三年計畫方向為氧化鉿基材之高遷移率通道鐵電鰭式場效電晶體與鐵電環繞式閘極電晶體之實作與三維模擬研究。其具 (1)高開關電流比(ION/IOFF)，(2)較低的off-state漏電流，(3)較高的載子遷移率，擁有高的on-state 電流，(4)SS能夠低於物理極限(60mV/dec)，(5)HZO能整合至現今CMOS元件製程。